V20PWM60C 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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V20PWM60C 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

V20PWM60C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	V20PWM60C

下载	V20PWM60C 下载

文件大小	119.69 Kbytes

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

V20PWM60C Datasheet (PDF)

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部件名	V20PWM60C

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页	5 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

V20PWM60C 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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V20PWM60C 产品详情

Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

类似零件编号 - V20PWM60C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V20PWM60C	141Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 01-Jan-2022
	V20PWM60C	91Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 01-Jan-2022
	V20PWM60C	141Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 01-Jan-2022

类似说明 - V20PWM60C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A Revision: 04-May-15
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PWM60	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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